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Nouveau procede de gravure de precision nanometrique en plasmas H
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Pour la réalisation des transistors FDSOI 22 nm et 3D FinFET 10 nm, la gravure de couches ultraminces de quelques nanomètres d'épaisseur doit être réalisée sans endommagement de la couche sous-jacente et n'est plus envisageable avec les procédés reposant sur les plasmas continus à haute densité...
Spécifications techniques
Date de sortie | 01 novembre 2018 |
Langue | Français |
Éditeur | UNIVERSITAIRES EUROPEENNES |
Catégories | |
Nombre de pages | 188 pages |
Composition | Contient un seul article |
Support | Livre imprimé à couverture souple |
Mesure | 23.0 cm (Hauteur), 16 cm (Largeur), 285 gr (Poids) |
Accessibilité | Aucune information disponible concernant l'accessibilité pour le format Papier |